SiC是一種新型陶瓷，由于高密度成形技術的發展，80年代開始，國外紛紛用它做高PV值的組對材料，是到目前為止發現的最好的摩擦副材料，具備各種優良性能。重量輕，為WC的1/5，強度高，摩擦系數小，硬度略高于硬質合金，HRA90～94,抗輻射性好，具有一定的自潤滑性，組對性好，化學穩定性、耐熱性、熱傳導性都很優異。在500°C以下，幾乎耐所有的酸和堿，除振動沖擊大，或有顆粒介質場合外，幾乎所有的硬質合金都可用它取代，價格略比WC便宜。

缺點：脆性材料，抗機械沖擊性稍差。

由于制造工藝不同，性能略有差異，目前主要有4種類型：

1、反應燒結SiC(SiC+Si組對的致密燒結物)

【(α-SiC粉+石墨粉+助溶劑)混合+有機粘結劑】壓制成型，放入Si粉坩堝內，在真空爐加熱1600～1800°C，生成β-SiC。這種SiC由α-SiC、β-SiC、游離硅組成，由于游離硅和孔隙的存在，它不耐強堿和氧化性介質。

優點：收縮率小，耐熱沖擊性好，成本低，適于批量生產。

2、常壓燒結SiC

采用超細SiC粉(粒度0.1～0.2μm)，加適當的添加劑、粘結劑壓制成型，然后在2000～2200°C的溫度下燒結而成。適用于數量少，規格品種多的密封環。質密度高達97%以上。

3、熱壓燒結SiC

粒度≤1μm的SiC，加上適當的添加劑，裝入石墨模具內，在2000～2200°C的熱壓爐內加壓(30～50Mpa)制成。這是SiC中化學穩定性最好的一種。(因為在氧化氣氛下，表面生成一種SiO 保護膜，耐腐蝕性最好。)質密度高達97%以上

4、氣相滲透SiC(又叫硅化石墨)

以石墨為基體，按最終產品形狀加工好后，導入Si源，采用化學氣相沉積法在1800～2200°C的高溫下反應生成。滲透層厚度可達1.5mm，成SiC表層，表層還有10%的石墨，具有氣體不滲透性，C、Si之間無明顯的邊界層。這種SiC既具有碳石墨優點，又具有SiC特性，是一種很有前途的碳基復合材料。氣相滲透SiC與常壓燒結SiC組對，可用于高速場合，即使處于半干摩擦工況條件下也不易產生卡滯與與搽傷。